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输出电容采用DDR存储电源IC可以进一步降低使用电压降。
应用说明177是在PC平台上使用Dallas Semiconductor程序员进行原型设计的1线EPROM和EEPROM设备编程指南。
应用笔记158介绍1-Wire传感器的电子标记与识别,由1-Wire器件存储器内的XML标记提供激励。
高速缓冲存储器(Cache)其原始意义是指存取速度比一般随机存取记忆体(RAM)来得快的一种RAM,一般而言它不像系统主记忆体那样使用DRAM技术,而使用昂贵但较快速的SRAM技术,也有快取记忆体的名称。
TMS-F231-160G是一款基于Camera Link接口设计的大存储容量、高传输带宽的固态存储系统。TMS-F231-160G采用业界先进的FPGA和ARM,具有启动快、功耗低、无噪音、工作温度范围宽、抗震性好等优点。系统能兼容Base/Medium两种配置的Camera Link接口,板载...
据韩国IT业和相关部门10日消息,今年截至上月底,韩国半导体贸易实现288.942亿美元顺差,较去年同期增长130%,甚至超出去年全年总和(256.172亿美元)。.学习集成电路知识,了解更多集成电路资讯,认准华强旗舰电子圈!
2018年原厂不断扩大64层/72层3D NAND产出量,三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等3D NAND占比已达到80%,美光甚至达到了90%,3D NAND已是主流技术。
储存型快闪存储器(NAND Flash)报价急跌,使得下游价格甜蜜点浮现,加速采用NAND Flash的固态硬盘(SSD)在笔电和服务器渗透率快速拉升,也让威刚、群联等相关业者本季营运增温。
先前NAND Flash受到东芝存储器工厂停电事件影响供给,加上日本对关键半导体原料祭出限制令,韩国存储器业面临断料风险,据传最快本月开始减产NAND Flash并有意拉抬价格。
近期存储器产业步入景气向下循环,资料中心客户也呈现库存升高的调整期,继苹果日前下调财测后,三星电子(Samsung Electronics)也预告2018年第4季财报将不如预期,除了受到中国中国经济放缓影响外,全球存储器需求疲弱、服务器存储器拉货放缓也成为主要冲击因素之一。
AMD最新一代支援PCIe 4.0的桌上型电脑处理器Ryzen以及X570主机板平台于昨(8)日正式开始全球销售,该款产品搭载群联全球首款消费型PCIe Gen4x4 NVMe SSD控制芯片PS5016-E16的品牌SSD固态硬盘,随着新产品的开卖,有助于群联第三季营运表现。
恩智浦半导体NXP于4月12日至14日在美国佛罗里达州奥兰多市举办的2011 RFID Journal Live大会上推出UCODE I2C RFID芯片及先进的UHF和HF解决方案,进一步强化其RFID的产品组合。实现无线定制和配置的UCODE I2C RFID芯片突破性UCODE I2C RF...
全球领先的全套互连产品供应商Molex公司宣布推出空气动力型DDR3 DIMM插座和超低侧高DDR3 DIMM存储器模块插座产品组合,两个产品系列均适用于电信、网络和存储系统、先进计算平台、工业控制和医...
Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布,已经开始提供基于F-RAM的MaxArias无线存储器商用样片。Ramtron的 MaxArias系列无线存储器将非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性与行业标准无线存取功能相结合,...
张明 IS26KL256S HyperFlash 非易失性存储器是一个高速CMOS,镜像轨道 或闪存设备与HyperBus低信号计数双数据率(DDR)接口。这种非易失性存储器是一个3V的超闪存,密度为256Mb,速度为100MHz。IS...
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